BZG05C9V1TR3【单齐纳二极管】Vishay|威世
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BZG05C9V1TR3

BZG05C9V1TR3     Vishay|威世全系列索引
制造商型号: BZG05C9V1TR3
制造商: VISHAY
描述: ???极管齐纳击穿 3W SMA 9.1V
技术参考: Rohs PDF查询
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产品信息
  • 二极管齐纳击穿 3W SMA 9.1V
  • 典型齐纳电压, Vz: 9.1V
  • 功耗, Pd: 3W
  • 二极管封装形式: SMA
  • 针脚数: 2
  • 二极管类型: 齐纳
  • 功耗最大值: 3W
  • 容差: 5%
  • 封装/箱盒: SMA
  • 封装类型, 其它: DO-214AC
  • 工作温度范围: -
  • 总功率, Ptot: 3W
  • 正向电压, Vf 最大值: 1.2V
  • 测试电流: 25mA
  • 电阻, Rz: 200ohm
  • 结温, Tj 最大值: 150°C
  • 脉冲峰值功率: 60W
产地: AT Austria
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BZG05C9V1TR3 VISHAY ???极管齐纳击穿 3W SMA 9.1V 查看库存、价格及货期
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BZG05C9V1TR3|VISHAY BZG05C9V1TR3
VISHAY
???极管齐纳击穿 3W SMA 9.1V
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BZG05C9V1TR3|Vishay Semiconductors BZG05C9V1TR3
Vishay Semiconductors
稳压二极管 9.1 Volt 60W 5%
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BZG05C9V1TR3
VISHAY BZG05C9V1TR3
9398074

VISHAY

单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 9.1 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C

 (EN)
457 有货
可于1-2周内达送包装规格:每卷1 + ¥8.53
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BZG05C9V1TR3
VISHAY BZG05C9V1TR3
9398074RL

VISHAY

单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 9.1 V, 3 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C

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BZG05C9V1TR3|VISHAY BZG05C9V1TR3
VISHAY
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Vishay Semiconductor Diodes Division - BZG05C9V1TR3 - DIODE ZENER 1.25W DO214AC
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE ZENER 1.25W DO214AC

详细描述:Zener Diode 9.1V 1.25W Surface Mount DO-214AC
型号:BZG05C9V1TR3
仓库库存编号:BZG05C9V1TR3-ND
无铅 0
可于1-2周内送达
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品牌资讯

此前,Vishay Intertechnology, Inc.公布,Vishay将在2015国际电力工程元器件、可再生资源管理方法展会(PCIM Asia 2015,6月24-26日,中国上海)上展览的一系列技术性。上海市区世博展览馆的4B16展台,Vishay将展览诸多业界领跑的技术创新,包含MOSF无源元件、二极管、输出功率ET和光学元器件等,为普遍的运用产生更高的高效率和可信性。
在PCIM Asia 2015上,Vishay Siliconix将重中之重展览采用PowerPAIR®、MICRO FOOT®和PowerPAK® 8x8L等各种各样封装类型的MOSFET商品,包含采用非常结技术性的髙压E系列产品MOSFET(用以太阳能逆变器,兼容效率高AC/DC输出功率变换)和AEC-Q101验证SQ系列产品MOSFET(用以小车运用)。另外展览的也有400 V - 600 V D系列产品MOSFET;具备低通断电阻器×栅极电荷优值 (FOM) 的TrenchFET®第四代N沟道MOSFET,及其具备0.0016 Ω (-10 V) 和0.0020 Ω (-4.5 V) 业界低通断电阻器的P安全通道MOSFET。
除此之外,Vishay Siliconix还将在Vishay的展台演试其80 V - 100 V ThunderFET® MOSFET在防护式系统总线转化器级的效率高和高功率密度;其PowerPAIR TrenchFET第四代解决方法在负荷点输出功率级中的最优控制电气设备及热特性;以及小车级管沟式 MOSFET的可反复山崩耐受性工作能力。
针对小车和太阳能逆变器运用,Vishay Semiconductors将展览采用各种各样纤薄封裝的二极管,包含TMBS® 管沟式MOS势垒肖特基镇流器、具备ESD维护的规范镇流器和采用SMPD (TO-263AC) 封裝的FRED Pt® 极快修复镇流器,及其采用SlimSMA (DO-221AC)、SMF (DO-219AB) 和 SMPC (TO-277A) 封裝的FRED Pt 极快修复镇流器。此外该企业还将展览对于高频率转化器而提升的600 V和650 V FRED Pt第4代超快恢复二极管,及其致力于提高工作效率的管沟式IGBT和采用EMIPAK-1B及EMIPAK-2B封裝的IGBT电源模块。
Vishay还将重中之重展览用以太阳能逆变器、风力涡轮机、mri (MRI) 设备和别的高工作频率运用的光电材料商品,特色食品包含具备10 mm最少电气设备空隙和外界爬电距离的IGBT / MOSFET控制器、10 MBd宽体光电耦合器和采用表层贴片封裝的高防护工作电压光电耦合器。此外Vishay还将演试其手势控制控制器线路板,该线路板由Vishay Semiconductors VCNL4020接近传感器和2个VSMF2890RGX01红外发射器构成。
Vishay展览的无源电子器件将包含诸多最新消息电容器、电阻器和电感器商品。重中之重展览的电阻器商品将包含小车级大功率(至3 W)Vishay Dale Power Metal Strip®电阻器,和用以功率计和电池管理运用的Power Metal Strip检流电阻器,及其Vishay MCB的用以功率运用的水冷式绕线电阻。另外展览的也有预布线电阻器总程、订制电力工程电阻器总程及负载箱,及其髙压高溫塑料薄膜电阻器。重中之重展览的电感器商品包含扼流电感器和订制带磁电感器。
在PCIM Asia 2015上展览的电容器商品将包含Vishay ESTA电力工程頻率、过滤、低频和电力电子技术电容器;用以小车汽车动力系统系统软件和可再生资源机器设备,具备高操作温度范畴(至+150 °C)和长使用期(至6000钟头)的Vishay BCcomponents铝电容器,及其用以功率计和智能电表的沟通交流路线额定值瓷器盘式刹车电容器。另外还将展览Vishay Cera-Mite髙压瓷器直流盘式刹车电容器、用以沟通交流过滤和DC-link运用的Vishay Roederstein聚丙稀膜电容及其Vishay ESTA电力工程頻率、髙压和电力电子技术电容器。
PCIM Asia是我国有关电力电子技术以及在智能化健身运动、可再生资源和能源管理应用领域的关键展会。

询价

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联系人:吕先生 13006692189(手机/微信)
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传真:0755-27582171
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