TSAL6100【红外发射器】Vishay|威世
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TSAL6100

TSAL6100   Vishay|威世全系列索引
制造商型号： TSAL6100
制造商： VISHAY
描述： 红外线发射器 950NM
技术参考： Rohs  Vishay威世 TSAL6100 PDF
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息

  • 红外线发射器 950NM
  • 波长峰值: 940nm
  • 电流, If 平均: 100mA
  • 上升时间: 800ns
  • 下降时间: 800ns
  • 辐射强度: 130mW/Sr
  • 视角: 20°
  • 正向电压, Vf 最大值: 1.35V
  • 工作温度最小值: -40°C
  • 工作温度最高值: 85°C
  • 二极管封装形式: T-1 3/4 (5mm)
  • 针脚数: 2
  • LED/灯尺寸: 5mm
  • 功耗, Pd: 160mW
  • 半灵敏度角度±: 10°
  • 反向峰值电压, PIV: 5V
  • 反向漏电流, 最大: 10μA
  • 外径: 5.8mm
  • 外部长度/高度: 8.7mm
  • 存储温度最低值: -40°C
  • 存储温度最高值: 100°C
  • 封装/箱盒: T-1 3/4
  • 峰值脉冲电流: 1.5A
  • 工作温度范围: -40°C 至 +85°C
  • 引线直径: 0.5mm
  • 引线长度: 25.7mm
  • 引脚节距: 2.54mm
  • 放射功率: 35mW
  • 最大正向电流, If: 200mA
  • 正向电流, If: 100mA
  • 正向电流If最大值: 100mA
  • 波长典型值: 940nm
  • 灯泡尺寸: 5mm
  • 电压, Vf 典型值: 1.35V
  • 电流, If @ Vf: 100mA
  • 电源电压范围: 1.35V
  • 辐射强度最大: 400mW/Sr
  • 辐射强度最小: 80mW/Sr

公司简介

深圳创唯电子的接线端子、胶壳、针座、电子器件线缆、射频连接器、连接器热销消费者类型，在顾客之中具有较高的影响力，企业与好几家销售商和地区代理创建了长期性平稳的协作关联。深圳创唯电子经销商的接线端子、胶壳、针座、电子器件线缆、射频连接器、连接器质量上乘、价格实惠。深圳创唯电子领先地位，重个人信用、守合同书、确保产品品质，以多种类运营特点和垄断竞争市场的标准，获得了广大群众的信赖。

参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 参考库存 起订量 参考单价
(含税) 		货期
(工作日) 		操作
TSAL6100
[更多] 		Vishay Semiconductors

EMITTER IR 940NM 100MA RADIAL

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

51640
Bulk


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光电二极管和雪崩光电二极管的区别
雪崩二极管
PN 结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。
雪崩击穿是 PN 结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。 利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管。
雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子 - 空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子 - 空穴对，这就是倍增效应。1 生 2，2 生 4，像雪崩一样增加载流子。 齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN 结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子 - 空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！！的 PN 结才做得到。（杂质大电荷密度就大）
一般的二极管掺杂浓度没这么高，它们的电击穿都是雪崩击穿。齐纳击穿大多出现在特殊的二极管中，就是稳压二极管。
制造雪崩二极管的材料主要是硅和砷化镓。
雪崩二极管具有功率大、效率高等优点。它是固体微波源，特别是毫米波发射源的主要功率器件，广泛地使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中
其主要缺点是噪声较大。
雪崩二极管与 PIN 光电二极管有何区别
PIN: 光敏面接收对应波长的光照时，产生光生电流；
雪崩光电二极管（APD）：除了和 PIN 相同部分外，多了一个雪崩增益区，光生电流会被放大，放大的倍数称为雪崩增益系数。当然同时也会产生噪声电流。
PIN 光电二极管、雪崩光电二极管均属于半导体光电探测器，所使用的材料一样，光谱响应范围也一样。PIN 光电二极管优点在于响应度高响应速度快，频带也较宽工作电压低，偏置电路简单在反偏压下可承受较高的反向电压，所以线性输出范围宽不足之处在于 I 层电阻很大管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。所以 PIN 光电二极管通常接有前置放大器。
雪崩光电二极管是具有内部增益光电探测器，雪崩增益虽比光电倍增管 PMT 小的多，但仍使 APD 的灵敏度比 PIN 光电二极管高的多，解决了 PIN 光电二极管灵敏度低的问题，在高速调制微弱信号检测时其优点便更加明显，但由于其增管效益，信号中的噪声也会同时被放大，且其增益系数受温度影响必要时还需采用温度补偿措施。较之 APDPIN，光电二极管对温度不敏感适用场合受限制较少，所以绝大多数系统均采用 PIN 光电二极管，但在信号损耗过大光信号过于微弱或长距离传输等条件下，APD 就很有必要。

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