SIJ482DP-T1-GE3【单路MOSFET】Vishay|威世
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MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
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光电二极管和光电倍增管的区别
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光电二极管（Photo-Diode）和普通二极管一样，也是由一个 PN 结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件，而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。
光电倍增管（Photomultiplier tube）则是将微弱光信号转换成电信号的真空电子器件。光电倍增管用在光学测量仪器和光谱分析仪器中，它能在低能级光度学和光谱学方面测量波长 200~1200 纳米的极微弱辐射功率。
光电二极管和光电倍增管区别
1、原理不同。光电二极管是利用的半导体的能带理论，当光照射光电二极管时，光的能量大于带隙能量时，价电子带的电子受到激励向导带运动，原来的价电子就留下空穴。这样在 P 区、N 区及耗尽层就产生电子－空穴对。在耗尽层电场作用下电子向 N 区、空穴向 P 区加速运动，这样使得 P 区带正电，N 区带负电，各自向对方的电极方向运动（漂移），这样就产生了电流。然后对这个电流进行检测，就可以得到光的信息，或者再对这个电流进行放大，用来发电，这就是太阳能电池。
而光电倍增管的原理主要有两个：光电效应和二次电子发射理论。首先光电效应，大家都懂，就是当光入射到碱金属表面时，会有电子放出，当电子的动能超过碱金属的逸出功时，就会逃离金属表面，这时如果用非常灵敏的电流计就可以探测到电流信号。第二部是放大，逃逸出的电子在经过倍增极的二次放大，就会使电流信号不断增大，最后在阳极输出一个较大的电流信号。与光电倍增管对比来看，光电倍增管不仅能产生电流还能对电流进行放大，不过两者产生电流的原理是完全不同的。
2、应用范围不同。凡是用到微弱光探测的地方一般都用光电倍增管，比如一些伽马相机，放射源的探测等等。而光电二极管的应用在原理中已简单交待。
3、生产厂家。光电二极管是一种非常常见的光电元器件，因此生产厂家非常多；而光电倍增管的生产厂家非常少，全世界的光电倍增管主要是由日本的滨松光子这一家公司生产的。
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