BAS85-GS08【肖特基二极管】Vishay|威世
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BAS85-GS08

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制造商型号： BAS85-GS08
制造商： VISHAY
描述： BAS85 系列 30 V 600 mA 小信号 肖特基 二极管 - SOD-80
技术参考： Rohs  Vishay威世 BAS85-GS08 PDF
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息

  • Average Rectified Current-Max: 200 mA
  • Reverse Voltage-Max [Vrrm]: 30 V
  • Peak Current-Max: 600 mA
  • Forward Voltage: 320 mV
  • Reverse Current-Max: 2 μA
  • Power Dissipation: 200 mW

公司简介

深圳创唯电子有限公司是一间具备很多年丰富多彩的技术专业的电子元件代理代理， 代理经销商全球知名生产商所生产制造的射频连接器Connector和IC等Semiconductor半导体材料元器件。创唯——秉持顾客至上、信誉至上的标准，秉着有效的价钱, 多类型的商品, 多样化的售前服务和售后维修服务, 精雕细琢的工程设计适用, 用心搭建诚实守信、互动交流、双赢的价值取向, 为全部的顾客出示高品质的产品和服务。企业秉持 改革创新.自主创新.求真.发展趋势的基本要素，与各原装创建了十分优良的协作关联，进销方式通畅，常备大量库存并创建了省时省力的货运物流方式，考虑了不一样顾客的要求，获得了广大群众的称赞和适用。我们想要与世界各国的顾客联合协作,联建1个诚实守信.发展趋势.共同奋斗的良好氛围。创唯——过程关心服务水平和顾客满意度，人性化服务，真心到终究。

参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 参考库存 起订量 参考单价
(含税) 		货期
(工作日) 		操作
BAS85-GS08
[更多] 		Vishay Semiconductors

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD80

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

26750
-Reel®


1起订 		1+
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
 ￥3.36
￥2.5
￥2.18
￥1.41
￥1.17
￥0.94
￥0.72
 6-10天 搜索
查看资料
BAS85-GS08
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DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD80

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

26750
Cut Tape


1起订 		1+
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
 ￥3.36
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DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD80

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

22500
Tape & Reel


2500起订 		2500+
5000+
12500+
25000+
62500+
 ￥0.61
￥0.55
￥0.49
￥0.46
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行业资讯

肖特基二极管
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。
3.肖特基二极管工作原理
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A 为正极，以 N 型半导体 B 为负极，他的工作原理是利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属 - 半导体器件。因为 N 型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的 B 中向浓度低的 A 中扩散。显然，金属 A 中没有空穴，也就不存在空穴自 A 向 B 的扩散运动。随着电子不断从 B 扩散到 A，B 表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为 B→A。但在该电场作用之下，A 中的电子也会产生从 A→B 的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以 N 型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的 N- 外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N 型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较 H- 层要高 100%倍。在基片下边形成 N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N 型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N 型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
综上所述，肖特基整流管的结构原理与 PN 结整流管有很大的区别通常将 PN 结整流管称作结整流管，而把金属 - 半导管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。
通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

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