VEMD2000X01【光电二极管】Vishay|威世
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VEMD2000X01

VEMD2000X01     Vishay|威世全系列索引
制造商型号： VEMD2000X01
制造商： VISHAY
描述： 光电二极管 SMD 倒鸥翼引脚
技术参考： Rohs  Vishay威世 VEMD2000X01 PDF
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
  • 光电二极管 SMD 倒鸥翼引脚
  • 半灵敏度角度±: 15°
  • 暗电流: 1nA
  • 针脚数: 2
  • 工作温度最小值: -40°C
  • 工作温度最高值: 100°C
  • 击穿电压: 32V
  • 工作温度范围: -40°C 至 +100°C
  • 波长典型值: 940nm
  • 电压, Vr 最高: 60V

公司简介

深圳创唯电子——我司秉着 “集聚資源、诚实守信协作”的信心；坚持不懈“顾客至上、质量首位”的经营管理理念。

我司以代理、经销商知知名品牌电子元件主导，关键运营的商品包含：射频连接器、保险管、电源开关、汽车继电器及其电子器件輔助塑料配件等。一直以来企业以诚实守信、高效率、添富蓝筹，以民为本、开拓进取；凭着商品的平稳质量和日端电子人的技术专业服务项目，一心一意着眼于家用电器、电动机、电梯轿厢、通讯、工控自动化、电力工程操纵及其小车等行业的营销推广。考虑了不一样顾客的要求，获得了众多客户的称赞和适用。

商品以环境保护、品质平稳为核心理念，关键按照殴美、日本、法国等海外有知名度國家为规范，为全力以赴打造出全新中国式家庭的电子元件集成化服务提供商而勤奋！

企业凭着首批高新技术、高质量的复合型人才，以技术专业、真心实意为服务项目；我们在出示高档射频连接器解决方法，协助我们的顾客在销售市场上带大量的市场竞争机遇。

 公司理念：

我们企业存有的原因是：为顾客出示高品质的服务项目；

顾客必须是我们企业发展的驱动力，都是我们企业长期以来的战略定位！

商品范畴：

企业关键运营的连接器有：Phoenix Contact、TYCO、AMP、MOLEX、FCI、AMPHENOL、JST、KET、KST、OMRON、LITTELFUSE、VISHAY 、RICHCO、OUPIIN、JITEMOLEX、Cvilux、OMRON汽车继电器等全国各地的射频连接器；协作取决于以诚相待！我们在追求完美盈利的前提条件下，一起兼具考虑到价钱合理化、及其出示顾客的真实有效！企业有着普遍而平稳的供应链管理,供应链管理的平稳来源于于中国各省、世界各国的OEM生产商, 平稳的供应链管理为我们的顾客立即供货原材料确立了基本，使顾客在最少的時间里把商品走向市场，为我们的顾客在销售市场上获得了大量的市场竞争机遇!

参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 参考库存 起订量 参考单价
(含税) 		货期
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VEMD2000X01
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雪崩光电二极管
雪崩光电二极管指的是在激光通信中使用的光敏元件。在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后，射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。加大反向偏压会产生“雪崩”（即光电流成倍地激增）的现象，因此这种二极管被称为“雪崩光电二极管”。
雪崩光电二极管工作原理
雪崩光电二极管是一种 p-n 结型的光检测二极管，其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。其基本结构常常采用容易产生雪崩倍增效应的 Read 二极管结构（即 N+PIP+型结构，P+一面接收光），工作时加较大的反向偏压，使得其达到雪崩倍增状态；它的光吸收区与倍增区基本一致（是存在有高电场的 P 区和 I 区）。
P-N 结加合适的高反向偏压，使耗尽层中光生载流子受到强电场的加速作用获得足够高的动能，它们与晶格碰撞电离产生新的电子一空穴对，这些载流子又不断引起新的碰撞电离，造成载流子的雪崩倍增，得到电流增益。在 0.6～0.9μm 波段，硅 APD 具有接近理想的性能。
InGaAs（铟镓砷）/InP（铟磷）APD 是长波长（1.3μn，1.55μm）波段光纤通信比较理想的光检测器。光的吸收层用 InGaAs 材料，它对 1.3μm 和 1.55μn 的光具有高的吸收系数，为了避免 InGaAs 同质结隧道击穿先于雪崩击穿，把雪崩区与吸收区分开，即 P-N 结做在 InP 窗口层内。鉴于 InP 材料中空穴离化系数大于电子离化系数，雪崩区选用 n 型 InP，n-InP 与 n-InGaAs 异质界面存在较大价带势垒，易造成光生空穴的陷落，在其间夹入带隙渐变的 InGaAsP（铟镓砷磷）过渡区，形成 SAGM（分别吸收、分级和倍增）结构。
在 APD 制造上，需要在器件表面加设保护环，以提高反向耐压性能；半导体材料以 Si 为优（广泛用于检测 0.9um 以下的光），但在检测 1um 以上的长波长光时则常用 Ge 和 InGaAs（噪音和暗电流较大）。这种 APD 的缺点就是存在有隧道电流倍增的过程，这将产生较大的散粒噪音（降低 p 区掺杂，可减小隧道电流，但雪崩电压将要提高）。一种改进的结构是所谓 SAM-APD：倍增区用较宽禁带宽度的材料（使得不吸收光），光吸收区用较窄禁带宽度的材料；这里由于采用了异质结，即可在不影响光吸收区的情况下来降低倍增区的掺杂浓度，使得其隧道电流得以减小（如果是突变异质结，因为ΔEv 的存在，将使光生空穴有所积累而影响到器件的响应速度，这时可在突变异质结的中间插入一层缓变层来减小ΔEv 的影响）。

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